Введение

Индуктивные сопротивления схемы замещения x₁, x₂ и х₃ представляют собой некоторые эквивалентные индуктивные сопротивления, зависящие от само- и взаимоиндуктивностей всех трех обмоток. Поэтому эти сопротивления существенно зависят от взаимного расположения первичных и вторичных обмоток. В частности, при проведении парных опытов короткого замыкания наибольшее напряжение короткого замыкания (и соответственно x_к12) получается между обмотками, наиболее удаленными друг от друга, что соответствует наибольшему потоку рассеяния трансформатора.

Активные составляющие сопротивления в схеме замещения (r₁, r₂ и r₃) для исследуемого трансформатора равны приведенным активным сопротивлениям соответствующих обмоток. При этом необходимо учитывать не только основные потери в обмотках, но также потери от полей рассеяния как в самих обмотках, так и в других металлических деталях трансформатора (включая, например, ярмовые балки, бак с крышкой и т. д.) Поэтому сопротивления r₁, r₂ и r₃ определяют на основании трех опытов короткого замыкания, а не считают их равными омическим сопротивлениям обмоток

Из уравнений (1.3), (1.4) и схемы замещения следует, что наличие тока в одной из вторичных обмоток

влияет на напряжение другой обмотки вследствие падения напряжения на сопротивлении Z₁.

Для уменьшения этого влияния необходимо уменьшить сопротивление Z₁ счет, его реактивной, составляющей х₁.

При питании со стороны НН и концентрических обмотках наименьшее значение Z₁ может быть достигнуто при размещении обмотки НН между обмотками СН и ВН (рис. 1.2). Заметим, что при таком размещении обмоток сопротивления x₁ может получиться отрицательным и очень небольшим по абсолютному значению.

Рис. 1.2

 Цель работы: исследование зависимостей напряжения короткого .замыкания, параметров x₁, x₂ и х₃ схемы замещения и изменений напряжения вторичных обмоток от взаимного расположения первичных и вторичных обмоток.